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砷化铟单晶片

产品应用:

       InAs单晶作为衬底材料可以生长InAsSb/InAsPSb,InAsPSb等异质结构材料,制作波长2——12μm的红外发光器件。用InAs单晶衬底还可以外延生长InAsPSb超晶格结构材料,制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。此外,InAs单晶具有很高的电子迁移率,是一种制作Hall器件的理想材料。


产品特点:

1、晶体采用液封直拉技术(LEC)生长,技术成熟,电学性能稳定

2、采用X射线定向仪精确定向,晶向偏差仅±0.5°

3、晶片通过化学机械抛光(CMP)技术抛光,表面粗糙度<0.5nm

4、达到“开盒即用”的使用要求

5、可根据用户要求,进行特殊规格产品加工


     【如需下载产品技术参数资料,请前往:科学研究资料下载





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