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2-6英寸碳化硅单晶片

       碳化硅(SiC)是性能优异的第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。该产品在航空航天、轨道交通、光伏发电、电力传输、新能源汽车等领域具有巨大应用前景,并将为电力电子技术带来革命性的巨变。


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