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碳化硅器件在电动汽车领域的应用前景简析
工业的蓬勃发展,全球能源消耗逐年增加。在我国,机动车污染已成为空气污染的重要来源,是造成灰霾、光化学烟雾污染的重要原因,机动车污染防治的紧迫性日益凸显。节能减排已成为汽车业发展的重大课题。因此,大力发展新能源汽车是实现节能减排,促进我国汽车产业可持续发展的战略性措施。
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碳化硅电力电子器件的发展现状分析
在过去的十五到二十年中,碳化硅电力电子器件领域取得了令人瞩目的成就,所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件,并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化,在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件,并初步展现出其巨大的潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到革命性的推动作用。随着SiC单晶和外延材料技术的进步,各种类型的SiC器件被开发出来。SiC器件主要包括二极管和开关管。SiC二极管主要包括肖特基势垒二极管及其新型结构和PiN型二极管。SiC开关管的种类较多,具有代表性的开关管有金属氧化物半导体场效应开关管(MOSFET)、结型场效应开关管(JFET)、绝缘栅双极开关管(IGBT)三种。
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十三五”规划:2020年我国充电设施可满足超500万辆电动汽车的充电需求
根据国家发展改革委、国家能源局近日发布的《电力发展“十三五”规划》,将加快充电设施建设,促进电动汽车发展,2020年充电设施将可满足全国超过500万辆电动汽车的充电需求。
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碳化硅单晶切割技术研究
碳化硅单晶材料是第三代宽禁带半导体材料的代表,对电子产业的发展起到强有力的支 撑。晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本保证,任何具有优异特性的材料只有在成功有效的加工技术下才能发挥实际效能。本文介绍了切割工艺,通过工艺实验及对实验结果的分析,确定了切割工艺参数。
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“十三五”能源规划即将面世 体现创新和转型
国家能源局副局长李仰哲日前在2016年能源大转型高层论坛上表示,能源发展“十三五”规划已经国家能源委员会第二次会议审议通过,即将正式出炉,该规划将体现创新发展和转型发展两大特征。同时,国家能源局组织编制的14个能源领域专项规划同样进展顺利。
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