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北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域取得突破性成果
日前,北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域取得突破性成果,首次利用SiC外延生长方法,在3英寸SiC衬底上制成石墨烯二维材料,为实现晶圆级石墨烯商业化规模生产奠定了重要基础。
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中国自主知识产权的碳化硅MOSFET问世
“北京世纪金光半导体有限公司”自主研发的SiC MOSFET和SiC功率模块问世。在国家重大专项的支持下,该公司现有1200V/80mΩ、900V/65mΩ 两款SiC MOSFET产品完成了初样、试样和正样的研制,已经多批次给用户送样验证。公司还研发出了 600V/5A-30A、1200V/10A-30A系列SiC SBD产品(肖特基二极管),并实现了批量供货。
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第一款完全国产管芯的SiC功率模块研制成功
北京世纪金光半导体有限公司,使用公司自主研发的SiC SBD和SiC MOSFET,研制成功了第一款自主知识产权的1200V/200A SiC功率模块。
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北京世纪金光半导体有限公司SiC MOSFET 驱动技术取得重大突破
由北京世纪金光半导体有限公司与**大学联合实验室研制的SiC MOSFET驱动器取得重大突破。
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中国宽禁带功率半导体产业联盟秘书长来公司考察指导工作
二0一五年五月六日,中国宽禁带功率半导体产业联盟肖向锋秘书长和中国电力电子产业网运营总监郝海洋,到北京世纪金光半导体有限公司考察指导工作。 秘书长参观了公司产品展厅,介芳副总经理汇报了公司的产品和取得的成果。
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