加入收藏 返回主页 联系我们 邮箱 ENGLISH
首页 对外服务 招贤纳士 联系我们
科学研究
科学研究 资料下载
资料下载 您当前所在的位置:首页 > 科学研究 > 资料下载
碳化硅高纯粉料

       高纯碳化硅粉料由高纯硅粉和高纯碳粉通过高温固相反应法合成,其纯度可达99.999%wt以上。其氮、硼、铝等杂质含量极低,可在高纯半绝缘碳化硅单晶生长中,提高其半绝缘性能。

资料下载
2-4英寸磷化铟单晶片
       磷化铟是一种重要的化合物半导体材料,具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。
资料下载
2-4英寸锑化镓单晶片
      锑化镓是一种非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料,是研制Ⅱ类超晶格中红外波段激光器、探测器的理想衬底材料。目前GaSb基中红外激光器、探测器已广泛应用于夜视、通讯、气象、大气监测、工业探伤、地球资源探测、测温等领域。
资料下载
3-6英寸碳化硅同质外延
      碳化硅同质外延片是一种宽禁带半导体材料,主要性能有:禁带宽度大、临界击穿电场高、高热导率、高电子饱和和迁移速度等。主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等方面。
资料下载
氮化镓基外延
       氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和高化学稳定性等优异性能。GaN基材料特别适合制备新一代高频、大功率器件和电路以及高速低损耗电力电子器件,广泛应用于卫星通信、雷达、航母、电子战系统、航空航天、自动控制、电动汽车、电力输运和分配等军工和民用的关键领域。
资料下载
招贤纳士 | 联系我们 版权所有:©2015 世纪金光 ALL Rights Resered
收缩