产品类别 |
型号 |
产品描述 |
资料下载 |
SiC SBD |
CGK1S12020 |
电压1200V,电流20A,TO-247-2封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。 |
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SiC SBD |
CGC1S12020 |
电压1200V,电流20A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。 |
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SiC SBD |
CGE1S12040 |
电压1200V,电流40A,TO-247-3封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。 |
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SiC MOSFET |
CGE1M065020 |
电压650V,导通电阻20mΩ,TO-247封装,频率高、开关损耗低等优点。 |
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SiC MOSFET |
CGE1M120030 |
电压1200V,导通电阻30mΩ,TO-247封装,频率高、开关损耗低等优点。 |
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SiC MOSFET |
CGE1M120060 |
电压1200V,导通电阻60mΩ,TO-247封装,频率高、开关损耗低等优点。 |
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混合碳化硅功率模块 |
HHF300R12LE4N |
电压1200V,电流300A,EconoDUAL封装,具有开关损耗低的优点。 |
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混合碳化硅功率模块 |
HHF450R12LE4N |
电压1200V,电流450A,EconoDUAL封装,具有开关损耗低的优点。 |
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混合碳化硅功率模块 |
HHF600R12LE4N |
电压1200V,电流600A,EconoDUAL封装,具有开关损耗低的优点。 |
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全碳化硅功率器件 |
CHF300R12KC3 |
电压1200V,电流300A,62mm封装,具有大功率、高频率、高可靠性等优点。 |
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无内容 |