联系我们:010-56993369

技术支持

SUPPORT

联系我们

电话:010-56993369

邮箱:sales@cengol.com

首页 > 技术支持 > 资料下载 >
产品类别 型号 产品描述 资料下载
SiC SBD CGE1S12040

电压1200V,电流40A,TO-247-3封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC MOSFET CGE1M120030

电压1200V,导通电阻30mΩ,TO-247封装,频率高、开关损耗低等优点。

SiC MOSFET CGE1M120060

电压1200V,导通电阻60mΩ,TO-247封装,频率高、开关损耗低等优点。

混合碳化硅功率模块 HHF300R12LE4N

电压1200V,电流300A,具有开关损耗低的优点。

混合碳化硅功率模块 HHF450R12LE4N

电压1200V,电流450A,具有开关损耗低的优点。

混合碳化硅功率模块 HHF600R12LE4N

电压1200V,电流600A,具有开关损耗低的优点。

全碳化硅功率模块 CHF300R12KC3

电压1200V,电流300A,K型封装,具有大功率、高频率、高可靠性等优点。

全碳化硅功率模块 CHF300R12LC3

电压1200V,电流300A,具有大功率、高频率、高可靠性等优点。

全碳化硅功率模块 CHF600R12LC3

电压1200V,电流600A,具有大功率、高频率、高可靠性等优点。

其他化合物半导体 GaSb

是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料,产品具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等优点,可广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池等

地址:北京经济技术开发区通惠干渠路17号院
邮编:100176
电话:010-56993369
邮箱:sales@cengol.com

版权所有:©2019 世纪金光 ALL RIGHTS RESERVED 京ICP备2021006800号-1