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| 产品类别 | 型号 | 产品描述 | 资料下载 |
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| SiC SBD | CGK1S12020 | 电压1200V，电流20A，TO-247-2封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGC1S12020 | 电压1200V，电流20A，TO-220封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGE1S12040 | 电压1200V，电流40A，TO-247-3封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
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| SiC MOSFET | CGE1M065020 | 电压650V，导通电阻20mΩ，TO-247封装，频率高、开关损耗低等优点。 |
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| SiC MOSFET | CGE1M120030 | 电压1200V，导通电阻30mΩ，TO-247封装，频率高、开关损耗低等优点。 |
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| SiC MOSFET | CGE1M120060 | 电压1200V，导通电阻60mΩ，TO-247封装，频率高、开关损耗低等优点。 |
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| 混合碳化硅功率模块 | HHF300R12LE4N | 电压1200V，电流300A，EconoDUAL封装，具有开关损耗低的优点。 |
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| 混合碳化硅功率模块 | HHF450R12LE4N | 电压1200V，电流450A，EconoDUAL封装，具有开关损耗低的优点。 |
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| 混合碳化硅功率模块 | HHF600R12LE4N | 电压1200V，电流600A，EconoDUAL封装，具有开关损耗低的优点。 |
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| 全碳化硅功率器件 | CHF300R12KC3 | 电压1200V，电流300A，62mm封装，具有大功率、高频率、高可靠性等优点。 |
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