首页 > 技术支持 > 资料下载 >
| 产品类别 | 型号 | 产品描述 | 资料下载 |
|---|---|---|---|
| SiC SBD | CGE1S12040 | 电压1200V，电流40A，TO-247-3封装，0反向回复特性，高频、高可靠性。 |
 |
| SiC MOSFET | CGE1M120030 | 电压1200V，导通电阻30mΩ，TO-247封装，频率高、开关损耗低等优点。 |
|
| SiC MOSFET | CGE1M120060 | 电压1200V，导通电阻60mΩ，TO-247封装，频率高、开关损耗低等优点。 |
|
| 混合碳化硅功率模块 | HHF300R12LE4N | 电压1200V，电流300A，具有开关损耗低的优点。 |
|
| 混合碳化硅功率模块 | HHF450R12LE4N | 电压1200V，电流450A，具有开关损耗低的优点。 |
|
| 混合碳化硅功率模块 | HHF600R12LE4N | 电压1200V，电流600A，具有开关损耗低的优点。 |
|
| 全碳化硅功率模块 | CHF300R12KC3 | 电压1200V，电流300A，K型封装，具有大功率、高频率、高可靠性等优点。 |
|
| 全碳化硅功率模块 | CHF300R12LC3 | 电压1200V，电流300A，具有大功率、高频率、高可靠性等优点。 |
|
| 全碳化硅功率模块 | CHF600R12LC3 | 电压1200V，电流600A，具有大功率、高频率、高可靠性等优点。 |
|
| 其他化合物半导体 | GaSb | 是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料，产品具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等优点，可广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池等 |
|