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SiC单晶片 6英寸导电型单晶衬底

小批量试产产品,禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

SiC外延片 6英寸N型SiC外延片

禁带宽度大、高热导率、高击穿电场,用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体功率器件。

SiC SBD CGC1S06506

电压650V,电流6A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGF1S06506

电压650V,电流6A,TO-263封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGC1S06508

电压650V,电流8A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGC1S06510

电压650V,电流10A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGF1S06510

电压650V,电流10A,TO-263封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGJ1S06510

电压650V,电流10A,TO-220F封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGC1S06515

电压650V,电流15A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGE1S06520

电压650V,电流20A,TO-247-3封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

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