碳化硅（SiC）是性能优异的第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。
MORE+碳化硅（SiC）是性能优异的半导体材料，具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、电子饱和漂移速度高等优点。
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