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碳化硅单晶材料

  • 碳化硅单晶衬底

    产品规格:6英寸

    产品类型:导电型单晶衬底

    产品优势:禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。

    应用领域:主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等。

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  • 碳化硅外延片

    产品规格:4-6英寸

    产品类型:同质外延片

    产品特点:禁带宽度大、临界击穿电场高、高热导率、高电子饱和和迁移速度等。

    应用领域:主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等。

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碳化硅功率器件

  • 碳化硅肖特基二极管

    额定电压:650-1200V   

    额定电流:2-60A

    产品特点:碳化硅肖特基二极管相比普通的PN结势垒二极管具有导通压降低,开关速度快、0反向恢复、耐高温的优点。

    应用领域:碳化硅肖特基二极管可应用于光伏逆变器、高频电源、高性能服务器电源、充电桩充电模块等领域。

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  • 碳化硅场效应晶体管

    额定电压:650-1200V   

    额定电流:30-100A

    产品特点:碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET)具有更低的导通电阻,更高的工作频率,开关损耗大幅降低,SiC MOSFET与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%,高温特性好、稳定性高。

    应用领域:SiC MOSFET可应用于开关电源、光伏逆变器、充电桩充电模块、新能源汽车OBC、DC/DC等。

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碳化硅功率模块

  • 全碳化硅功率模块

    额定电压:650-1200V   

    额定电流:100-600A

    产品特点:全碳化硅功率模块与传统硅基IGBT相比,全碳化硅模块具有更高的功率密度、更快的工作频率,开关损耗可降低70%以上。

    应用领域:全碳化硅功率模块可应用于轨道交通逆变牵引、新能源汽车电机控制器、光伏逆变器、ups电源、智能电网等。

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  • 混合碳化硅功率模块

    额定电压:1200V

    额定电流:300A、450A、600A

    产品特点:混合碳化硅功率模块与传统硅模块相比,碳化硅混合模块具有更高的功率密度、更低的开关损耗以及更快的工作频率。

    应用领域:混合碳化硅功率模块可应用于光伏发电、新能源汽车、轨道交通、不间断电源、智能电网等。

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