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碳化硅单晶材料

  • 碳化硅单晶片

    产品规格:2-6英寸

    产品类型:导电单晶片

    产品优势:禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。

    应用领域:主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等。

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  • 碳化硅外延片

    产品规格:3-6英寸

    产品类型:同质外延片

    产品特点:禁带宽度大、临界击穿电场高、高热导率、高电子饱和和迁移速度等。

    应用领域:主要应用于制作高温、高压、大功率、抗辐照的半导体器件等。

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碳化硅功率器件

  • 碳化硅肖特基二极管

    额定电压:650-1200V   

    额定电流:2-60A

    产品特点:相比普通的PN结势垒二极管具有导通压降低,开关速度快、0反向恢复、耐高温的优点。

    应用领域:光伏逆变器、高频电源、高性能服务器电源、充电桩充电模块等领域。

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  • 碳化硅场效应晶体管

    额定电压:650-1200V   

    额定电流:30-100A

    产品特点:更低的导通电阻,更高的工作频率,开关损耗大幅降低,与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%,高温特性好、稳定性高。

    应用领域:开关电源、光伏逆变器、充电桩充电模块、新能源汽车OBC、DC/DC等。

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碳化硅功率模块

  • 全碳化硅功率模块

    额定电压:650-1200V   

    额定电流:100-600A

    产品特点:与传统硅基IGBT相比,全碳化硅模块具有更高的功率密度、更快的工作频率,开关损耗可降低70%以上。

    应用领域:轨道交通逆变牵引、新能源汽车电机控制器、光伏逆变器、ups电源、智能电网等。

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  • 混合碳化硅功率模块

    额定电压:1200V

    额定电流:300A、450A、600A

    产品特点:与传统硅模块相比,碳化硅混合模块具有更高的功率密度、更低的开关损耗以及更快的工作频率。

    应用领域:光伏发电、新能源汽车、轨道交通、不间断电源、智能电网等。

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其他化合物半导体

  • 其他化合物半导体

    产品类型:磷化铟、锑化镓、砷化铟

    产品特点:

       · 磷化铟(InP):具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。

      · 锑化镓(GaSb):是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料,产品具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等优点,可广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池。

       · 砷化铟(InAs):可用于制作波长2—12μm的红外发光器件及中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。

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