世纪金光亮相2018北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会
来源:世纪金光网站 发布时间:2019-10-09
10月22-24日,“2018北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会”在北京亦创国际会展中心举行,这是北京微电子国际研讨会19年来首次“扩容”。本次大会以“技术创新引领,产业链协同发展”为主题,共举办近20场学术会议以及包含11大专业特展的博览会。
博览会部分:汇集了集成电路产业链上下游200余家企业,集中在开发区集成电路成果展示区、集成电路设计区、材料区、装备/制造区、零部件区、厂务(环保)/系统/封测区、终端/联盟区、产学研区等展区展示集成电路产业各项最新成果。
北京世纪金光半导体有限公司携国家战略新兴材料科研成果亮相2018世界集成电路大会,展示了碳化硅全产业链产品,包括6英寸碳化硅单晶衬底、碳化硅功率器件以及全碳化硅功率模块等。其核心技术均有自主知识产权为支撑,技术指标已达国际先进水平。展会期间,多位业界同仁、投融资机构以及媒体驻足世纪金光展位参观,并就第三代半导体碳化硅的应用与发展进行了深入的了解,高度赞扬世纪金光自主可控全产业链发展成果。
学术会议部分:包括世界集成电路大会、2018北京国际微电子研讨会、第五届全球传感器电子器件高峰论坛暨中国物联网应用峰会、中关村集成电路产业联盟论坛四个主论坛和十多个专题论坛,来自全球顶尖高校、研究机构和集成电路企业300多位专家学者和企业领袖,围绕集成电路产业发展现状和趋势、传感器·电子元器件及其制造、硅基光电子光学器件、人工智能·机器人·智能制造、未来通信·物联网IoT、、集成电路产业投融资洽谈等多个热点话题开展高水平学术交流。
北京世纪金光半导体有限公司总裁杨永江于23日参加了此次学术交流,在产业自主发展与创新专题论坛中以《国产第三代半导体发展现状及趋势》为题,就有关第三代半导体装备、技术及产业发展三大方向进行了详细的阐述。他表示,以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料具有宽禁带、击穿电场高、热导率高等优越性能,在高压、大功率、高效节能方面扮演着极其重要的角色。以SiC、GaN为代表的器件,其部分性能指标远超当前的硅基器件,应用于智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、数据中心等耗能的应用领域,将创造出可观的节能空间。
亦庄产业:
据了解,作为首届IC WORLD大会举办地,北京亦庄此前已连续四次举办北京微电子国际研讨会,如此受“青睐”的背后,是其扎实的产业基础和浓厚的产业发展氛围。据不完全统计,北京亦庄现有集成电路企业约50家,已形成集设计、制造、封测、装备、零部件及材料企业在内的完备产业链。一批代表企业及研究机构承接了系列国家研究项目,在关键材料、先进工艺的开发及产业化等方面取得一批代表国家最高水平的成果,也确立了北京在全国集成电路产业布局中的领先地位。数据显示,北京亦庄集成电路产业规模占北京市的1/2,2017年实现工业产值215亿元。